MENU

Nhà Việt

Phục Vụ

24/24

Email Nhà Việt

[email protected]

Ưu và nhược điểm của công nghệ hàn IGBT trong hàn điện | https://suanha.org

Công nghệ IGBT là một khái niệm gần đây được nhắc đến khá nhiều. Nhiều người khi đi mua máy hàn thường được những chủ shop hoặc nhân viên cấp dưới tư vấn về công nghệ IGBT nhưng hầu hết người dùng lại không mấy hiểu về công nghệ tiên tiến này. IGBT là một công nghệ tiên tiến mới tiên tiến và phát triển mà phần lớn những loại máy hàn điện tử và máy cắt Plasma thời nay đều sử dụng.

Công nghệ IGBT là gì?

– IGBT là viết tắt của cụm từ tiếng anh Insulated Gate Bipolar Transistor. Insulated : có cực tinh chỉnh và điều khiển cách ly là một linh phụ kiện bán dẫn hiệu suất ba cực. IGBT tích hợp năng lực đóng ngắt nhanh của MOSFET và năng lực chịu tải lớn của Transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là thành phần điều khiển và tinh chỉnh bằng điện áp, do đó hiệu suất điều khiển và tinh chỉnh nhu yếu sẽ cực nhỏ.

– IGBT là một van công suất tuyệt vời. Khác với Thysictor, IGBT cho phép bạn đóng ngắt vô tư bằng cách đặt điện áp điều khiển lên hai cực G và E. Điện áp đo được trên van rất đồng dạng với điện áp điều khiển. IGBT thường dùng trong các mạch biến tần hay các bộ băm xung áp một chiều. Driver của IGBT cũng sẵn có ở Việt Nam nhưng giá cả của nó thì hơi cao.

Bạn đang đọc: Ưu và nhược điểm của công nghệ hàn IGBT trong hàn điện | https://suanha.org

Cấu tạo và nguyên tắc hoạt động giải trí

 Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter ( tựa như cực gốc ) với collector ( tương tự như với cực máng ), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế hoàn toàn có thể coi IGBT tương tự với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển và tinh chỉnh bởi một MOSFET. Dưới tính năng của áp điều khiển và tinh chỉnh Uge > 0, kênh dẫn với những hạt mang điện là những điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET. Các điện tử vận động và di chuyển về phía collector, vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.

Ưu điểm và hạn chế của công nghệ tiên tiến IGBT

Ưu điểm :

– Chức năng điều khiển và tinh chỉnh nhanh, được cho phép đóng ngắt nhanh gọn, thuận tiện. – Chịu áp lớn hơn MOSFET, thường 600V tới 1.5 KV, những loại lớn hơn thì hơi đặc biệt quan trọng. – Tải dòng lớn, cỡ giao động 1KA. Sụt áp bé và cũng tinh chỉnh và điều khiển bằng áp. Song vẫn có 1 số ít hạn chế :

Nhược điểm :

– Công suất vừa và nhỏ. – Tần suất nhỏ hơn nhiều so với MOSFET. Do vậy, với những ứng dụng cần tần số cao áp 400V thì MOSFET vẫn được ưu tiên. Nếu IGBT hoạt động giải trí ở tần số cao thì sụt áp sẽ lớn. – Giá thành linh phụ kiện cao hơn những loại khác như MOSFET.

Máy hàn điện tử vận dụng công nghệ tiên tiến IGBT

 So với những dòng máy hàn cơ trước đây thì dòng máy hàn điện tử ứng dụng công nghệ tiên tiến IGBT tân tiến và tiên tiến và phát triển hơn. Vậy ưu điểm tiêu biểu vượt trội của máy hàn ứng dụng công nghệ IGBT là gì ? – Tiết kiệm điện hơn.

– Dòng hàn ổn định.

– Mối hàn đẹp và sáng hơn, không có xỉ vì dòng hàn cao hơn. – Trọng lượng nhẹ, dễ sử dụng

Source: https://suanha.org
Category : Điện Máy

Alternate Text Gọi ngay
Liên kết hữu ích: XSMB